SL160N03R N-Channel Power MOSFET PDFN5x6-8L

N-kanāla MOSFET tranzistoram ir 30 V Vdss un maksimālā Id 160 A. Tas piedāvā RDS(on) 1.5 mΩ pie 10 V Vgs ar 20 A Id. Sliekšņa spriegums (Vgs(th)) ir 1.6 V pie 250 μA. Šī ierīce atbalsta maksimālo jaudas izkliedi (Pd) 50 W.

● Ļoti zema ieslēgšanas pretestība RDS (ON)
● Zems krustojums
● Ātra pārslēgšana

Lejupielādēt datu lapu izmeklēšana

Produkta apraksts Dokumentācija Atbalsts

Apraksts

lŠis Power MOSFET tiek ražots, izmantojot progresīvu TRENCH tehnoloģiju. Šī uzlabotā tehnoloģija ir īpaši pielāgota, lai samazinātu vadītspējas zudumus, nodrošinātu izcilu pārslēgšanas veiktspēju un ar augstu enerģijas impulsu lavīnas un komutācijas režīmā.

Apkalpošana

lVDS=30V,ID=160A

lRDS(ON)TYP=1.5mΩ@VGS=10V

lRDS(ON)TYP=2.2mΩ@VGS=4.5V

lĻoti Zemas pretestības RDS (ON)

lZems Crss

lĀtra pārslēgšana

l100% pārbaudīta lavīna

lUzlabota dv/dt iespēja

iesniegums

lPower Management

lPWM lietojumprogramma

lSlodzes slēdzis

Dokumenta nosaukums	Uzruna	Apraksts
SL160N03R PDFN5×6-8L.pdf	SL160N03R PDFN5×6-8L	-
SL250N04Q-PDFN56.pdf	SL250N04Q PDFN56	-
65. priekšlikuma atbilstības ziņojums_1.pdf	65. priekšlikuma atbilstības ziņojums_1	-
REACH.pdf	REACH	-
65. priekšlikuma atbilstības ziņojums_2.pdf	65. priekšlikuma atbilstības ziņojums_2	-

Datu lapa

Uzzināt vairāk

Atbalsts

Ja jums nepieciešams dizaina/tehniskais atbalsts, lūdzu, informējiet mūs un aizpildietAtbildes veidlapaMēs sazināsimies ar jums pēc iespējas ātrāk.

ilgs mūžs

Ilgmūžības programmas mērķis ir laiku pa laikam sniegt mūsu klientiem informāciju par paredzamo laiku, kad mūsu produktus varēs pasūtīt. Mūsu vadības komanda regulāri pārskata un atjaunina Ilgmūžības programmu. Skatiet mūsuilgmūžības programmašeit.