Ātrās atkopšanas diodes iekšējā struktūra atšķiras no parastās PN savienojuma diodes, kas pieder pie PIN savienojuma diodes, ti, bāzes apgabals I tiek pievienots P-veida silīcija materiāla un N-veida silīcija materiāla vidū, lai izveidotu PIN. silīcija vafele. Tā kā bāzes apgabals ir ļoti plāns, reversās atkopšanas lādiņš ir ļoti mazs, tāpēc ātrās atkopšanas diodes reversās atkopšanas laiks ir īsāks, tiešā sprieguma kritums ir mazāks un apgrieztā pārrāvuma spriegums (izturības sprieguma vērtība) ir augstāks.