IGBT (Izolēta vārtu bipolārais tranzistors) sastāv no MOS (izolēta lauka efekta tranzistors) un BJT (bipolāra tranzistors). Tā ir sprieguma vadīta jaudas pusvadītāju ierīce. IGBT var būt viena atsevišķa ierīce vai modulis, katram no tiem ir savs lietojumu diapazons. Rūpniecībā to izmanto satiksmes regulēšanā, jaudas pārveidošanā, industriālajos dzinējos, UPS nepārtrauktās barošanas avotā, vēja turbīnu enerģijas un saules enerģijas iekārtās, frekvences pārveidotājā u.c. Sadzīves elektronikā to izmanto sadzīves tehnikas, uzlādes pāļos, elektriskajos transportlīdzekļos. , elektroinstrumenti utt.